据统计，国内外多家SiC设备企业宣布斩获订单。随着新能源汽车、光伏市场的爆发，碳化硅市场加速扩张，相关设备开启放量。
随着多款搭载800V平台的车型发布，以及头部材料厂商扩产计划超预期，碳化硅产业链迎来频繁催化。
中金公司认为，需求端新能源车+光伏上量与供给端良率突破或于2024年迎来共振，碳化硅有望迎接大规模放量；国内厂商产能规划亦积极，提升了设备国产化需求。
1月9日，中国电科48所宣布，随着某客户现场搬运通道的封闭，48所自主研发的40台SiC外延炉成功Move in。
据了解，去年6月29日，中国电科48所宣布，他们自主研制的8吋SiC外延设备首次亮相，并且已经完成首轮工艺验证。48所研发团队在6吋SiC外延设备基础上，进一步优化水平进气装置设计、热壁式反应室构型等设计，克服了大尺寸外延生长反应源沿程损耗突出、温流场分布不均等问题，满足了大尺寸、高质量外延生长需求，实现了外延装备从6吋到8吋的技术迭代。
而“第三代半导体核心装备国产化关键技术攻关”项目由中国电子科技集团公司第四十八研究所(以下简称中国电科48所)承担，项目突破了6英寸SiC外延生长、高温高能离子注入机工艺性能、产能、稳定性、可靠性提升等关键技术，实现了6英寸SiC外延生长设备、SiC高温高能离子注入机国产化与工程化，满足规模化量产工艺要求，并具备产业化应用能力，目前已在国内多家第三代半导体芯片制造企业上线应用。项目实施期内申请发明专利15项，发布规范标准等4项。
据外媒报道，安森美位于韩国富川的SiC工厂采用了由爱思强提供的G10-SiC化学气相沉积（CVD）设备，爱思强将支持该工厂年产超100万片8英寸SiC晶圆的产能，爱思强还获得了安森美颁发的供应商奖。
安森美的一位代表在一份新闻稿中表示，由于与爱思强的密切合作，该公司能够提高安装基地已经非常高的生产力水平。
1月7日，据“诺延资本”消息，微芸科技于近日成功获得国内某碳化硅代工厂批量订单，标志着微芸科技研发生产的碳化硅刻蚀设备在均匀性和一致性方面已经基本满足客户量产的需求。
据介绍，微芸科技于2021年成立，是一家专注于第三代化合物半导体的半导体设备制造商。据悉，
微芸科技仅用两年时间就完成了ICP和CCP刻蚀设备的研发，并且获得了重复订单。目前公司在硅、碳化硅、二氧化硅、氮化硅、砷化镓、磷化铟等多种材料的刻蚀上都有比较成熟的整套工艺和设备方案。预计将在2024年第一季度完成针对氮化镓材料的原子层刻蚀设备研发。
近日，清软微视（杭州）科技有限公司（以下简称”清软微视“）自主研发的 SiC 衬底和外延缺陷检测设备 Omega 9880 成功中标国内某知名 SiC 研究院相关设备招标项目，并已成功签订采购合同。
清软微视作为清华大学知识产权转化的高新技术企业，布局了 SiC 从衬底、外延、芯片到器件模组的全产业链检测装备，打通了 SiC 全制程段缺陷数据，为 SiC 缺陷的转化、关联和器件的失效分析奠定了数据基础。结合清软微视与该研究院各自的科研优势，双方将在SiC外延和芯片的缺陷表征和分析方面展开深度合作。
